eMCP (LP-DDR3)
一種集成eMMC和LPDDR3的內嵌式閃存存儲器,具有獨創的ECC、CRC、斷電保護、固件備份、均衡磨損等特性,有利于手機的設計及內部空間的優化,其集成度更高、實現了小體積內的一體化,是中高
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一種集成eMMC和LPDDR3的內嵌式閃存存儲器,具有獨創的ECC、CRC、斷電保護、固件備份、均衡磨損等特性,有利于手機的設計及內部空間的優化,其集成度更高、實現了小體積內的一體化,是中高
◇ 產品規格:11.5*13*1.0
◇ 產品容量:8+8、 16+8、 16+16、 32+16
◇ 產品系列:
Part Number | Density | Bus Width | Voltage | Package | PinCount | Package Size | Version |
GPBD81S42MFLB-T3E | 8GB+8Gb | x32 | 1.8V | TFBGA | 221-Ball | 11.5*13*1.2 | V1.40 |
GPBD82S44MFLB-T3E | 16GB+16Gb | x32 | 1.8V | TFBGA | 221-Ball | 11.5*13*1.2 | V1.40 |
GPBE81S42MFLB-T3E | 8GB+8Gb | x32 | 1.8V | TFBGA | 221-Ball | 11.5*13*1.0 | V1.40 |
GPBNA1S62MFL0-T3K | 16GB+12Gb | x32 | 1.8V | TFBGA | 221-Ball | 11.5*13*1.0 | V1.40 |
GPBU81S42MFL0-T3H | 8GB+8Gb | x32 | 1.8V | TFBGA | 221-Ball | 11.5*13*1.0 | V1.40 |
GPBU81S61MFL0-T3K | 8GB+6Gb | X32 | 1.8V | TFBGA | 221-Ball | 11.5*13*1.0 | V1.40 |
GPBG81S42MFL0-T3E | 8GB+8Gb | x32 | 1.8V | TFBGA | 221-Ball | 11.5*13*1.0 | V1.40 |
GPBU81S81MFL0-T3M | 8GB+8Gb | x32 | 1.8V | TFBGA | 221-Ball | 11.5*13*1.0 | V1.40 |
GPBNA1S82MFL0-T3M | 16GB+16Gb | x32 | 1.8V | TFBGA | 221-Ball | 11.5*13*1.0 | V1.40 |
GPBNA1S81MFL0-T3M | 16GB+8Gb | x32 | 1.8V | TFBGA | 221-Ball | 11.5*13*1.0 | V1.40 |
GPBNA2S82MFL0-T3M | 32GB+16Gb | x32 | 1.8V | TFBGA | 221-Ball | 11.5*13*1.0 | V1.40 |
◇ 商品名稱:Em
◇ 商品類別:嵌入式存儲
◇ 封裝規格:FBGA
◇ 商品編號:L20171225345